量子点发光二极管quantum dot light-emitting diodes，QD-LED的工作寿命，取决于最大限度地减少热量积累。其中，减少热源处的热量产生是理想的解决方案，这需要在低驱动电压下的高亮度和量子效率。
今日，河南大学Yan Gao（一作）, Xiaonan Liu， 杜祖亮Zuliang Du等，中国科学技术大学Bo Li（一作）, 樊逢佳Fengjia Fan等，报道了利用较大量子点的单层，用以减少发光层中的填充数packing number，从而在低驱动电压下，增强量子点发光二极管的亮度。
该项策略，在没有电荷泄漏的情况下，对于给定数量的电荷，实现了更高的单量子QD电荷布居，从而在低驱动电压下，实现增强的准费米能级劈裂和亮度。由于最小化的热量产生，这些发光二极管LED显示出23%的高功率转换效率和在1,000cdm-2下超过48,000h的T95操作寿命（亮度降低到初始值的95%时间）。
Minimizing heat generation in quantum dot light-emitting diodes by increasing quasi-Fermi-level splitting.
基于增加准费米能级劈裂，量子点发光二极管的发热最小化。
图1:在量子点发光二极管quantum dot light-emitting diodes，QD-LED中，低驱动电压时实现的高亮度，用以减轻发热。
图2:量子点发光二极管QD-LED的特性。
图3:电子准费米能级劈裂测量。
图4:不同亮度下的器件温度。
图5:器件稳定性测试。
Gao, Y., Li, B., Liu, X. et al. Minimizing heat generation in quantum dot light-emitting diodes by increasing quasi-Fermi-level splitting. Nat. Nanotechnol. (2023).
https://doi.org/10.1038/s41565-023-01441-z
https://www.nature.com/articles/s41565-023-01441-z
地址：中国 河南 郑州.明理路北段379号 邮编：450046
总机号码：0371—22868833
